氮化硼陶瓷通過熱壓制成。這種工藝利用高達2000°C (3632°F)的溫度和高壓有道氮化硼粉末燒結成為一個大的緊實塊體，稱作坯料。這些氮化硼坯可以輕易地被加工成型并且精密加工成復雜地形狀和光滑地表面。不用青料燒結，研磨，拋光地易加工性使得許多高級工程領域的原型制作，設計更改和認證周期都更加容易和快速。除了許多高級陶瓷所共有的熱機械和電氣特性外，BN 在等離子體環(huán)境中的獨特之處在于，即使在存在強電磁場的情況下，它還是對濺射的抵抗力和低二次離子生成傾向?？篂R射有助于延長組件的使用壽命，而低二次離子生成有助于保持等離子體環(huán)境的完整性。

它已被作為高級絕緣體用于各種薄膜涂層工藝，如等離子體增強的物理氣相沉積 （PVD）。氮化硼陶瓷還用于提高軌道衛(wèi)星上霍爾效應推進器的性能和服務長度。

氮化硼陶瓷用于物理氣相沉積

物理氣相沉積是指用于各種材料的表面工程的多種真空薄膜涂層方法。PVD 涂層方法采用多種方法之一，將目標材料生成并沉積到基板表面，包括濺射沉積，PVD 涂層方法通常用于光電子器件的制造、汽車和航空航天的精密部件等。

濺射是一個獨特的過程，通過持續(xù)的等離子轟擊，粒子被強行從目標材料中噴出。氮化硼陶瓷廣泛用于將濺射室中的等離子弧約束到目標材料上，并防止工藝室中整體部件的侵蝕。

圣戈班氮化硼提供幾個Combat?可加工陶瓷的型號可用于PVD組件。AX05、HP 和 ZSBN 級通常用于制造用于 PVD 等離子室的電弧護罩和導軌、目標框架、屏蔽和襯墊。

氮化硼陶瓷用于霍爾推進器

霍爾效應推進器使用等離子體作為軌道衛(wèi)星和深空探測器的推進方法。這種等離子體是由推進劑氣體的電離產(chǎn)生的，推進劑氣體通過高性能陶瓷通道內(nèi)的強烈徑向磁場。應用的電場軸向加速等離子體并通過放電通道，達到每小時數(shù)萬英里的潛在出口速度。這種先進技術的挑戰(zhàn)是陶瓷放電通道屈服于過早的等離子體侵蝕。

氮化硼陶瓷已成功用于延長霍爾效應等離子推進器的使用壽命，同時不限制其電離效率，也不限制其推進能力。Combat?可加工陶瓷級 AX05、HP 和 M26 已通過衛(wèi)星專家成功測試，并應用于世界各地的霍爾效應等離子室。

來自于圣戈班的氮化硼陶瓷

圣戈班氮化硼事業(yè)部專精于提升氮化硼陶瓷和粉末的性能來滿足全世界各種先進工業(yè)部門對于陶瓷性能的高級別要求。

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